MRF18090AS РЧ силовые полевые транзисторы 1,80-1,88 ГГц 90 Вт 26 в боковая N-CHANNEL РЧ силовые мосфеты MRF18090ASR3 MRF18090
  • MRF18090AS РЧ силовые полевые транзисторы 1,80-1,88 ГГц 90 Вт 26 в боковая N-CHANNEL РЧ силовые мосфеты MRF18090ASR3 MRF18090
  • MRF18090AS РЧ силовые полевые транзисторы 1,80-1,88 ГГц 90 Вт 26 в боковая N-CHANNEL РЧ силовые мосфеты MRF18090ASR3 MRF18090

MRF18090AS РЧ силовые полевые транзисторы 1,80-1,88 ГГц 90 Вт 26 в боковая N-CHANNEL РЧ силовые мосфеты MRF18090ASR3 MRF18090

1 097 руб.

Описание

1. Мы поставляем различные электронные компоненты и приветствуем ваш запрос
2. Восстановление электронных компонентов
3. Искренне надеемся на ваше сотрудничество!
MRF18090AS РЧ силовые полевые транзисторы 1,80-1,88 ГГц 90 Вт 26 в боковая N-CHANNEL РЧ силовые мосфеты MRF18090ASR3 MRF18090
Предназначен для приложений GSM и EDGE base со частотами от
1,8-2,0 ГГц. Подходит для УСИЛИТЕЛЯ FM, TDMA, CDMA и multicarrier
Приложений. Для использования в класса AB для GSM и EDGE сотовой связи радио
Приложений.
• GSM и EDGE, полночастотный диапазон
Коэффициент усиления мощности-13,5 дБ (тип) @ 90 Вт (CW)
КПД-52% (тип) @ 90 Вт (CW)
• Внутреннее соответствие, контроль Q, для удобства использования
• Высокий коэффициент усиления, высокая эффективность и высокая линейность
• Встроенная защита от статического электричества
• Предназначен для максимального усиления и опорной фазовой плоскости
• Возможность обработки 10:1 VSWR, 26 В постоянного тока, 90 Вт (CW) Выходная мощность
• Отличное качество Термальность стабильности
• Отличается эквивалентными серийными параметрами импеданса большого сигнала
MRF18090AS РЧ силовые полевые транзисторы 1,80-1,88 ГГц 90 Вт 26 в боковая N-CHANNEL РЧ силовые мосфеты MRF18090ASR3 MRF18090
MRF18090AS РЧ силовые полевые транзисторы 1,80-1,88 ГГц 90 Вт 26 в боковая N-CHANNEL РЧ силовые мосфеты MRF18090ASR3 MRF18090

Характеристики

Номер модели
MRF18090ASR3